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科技創新2030—“新一代人工智能”重大項目《“數據-模型-知識”增強的多模態基礎模型學習與壓縮關鍵技術》正式啟動
7月10日，國家科技創新2030—“新一代人工智能”重大項目2023年立項項目《“數據-模型-知識”增強的多模態基礎模型學習與壓縮關鍵技術》項目啟動暨實施方案論證會在北京召開。
人民網
2023-07-11
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
尋求高校機械工程學院、計算機人工智能學院及信息工程學院方面的系統產品代理,教務處 浙江省合作
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浙江曉和電子有限公司
2023-08-21
西安交大科研人員在多波長高性能二硫化鉬場效應晶體管光電探測器的研究取得新進展
近日，西安交通大學電子科學與工程學院電子陶瓷與器件教育部重點實驗室任巍教授和牛剛教授團隊利用機械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結構和納米級溝道長度的光電晶體管，實現了較高探測率(＞1013Jones)和響應率(＞103A/W)。
西安交通大學
2023-02-02
技術需求：工業級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發控制程序的編程研發
工業級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發控制程序的編程研發
臨沂拓普三維科技有限公司
2021-08-24
人力資源社會保障部辦公廳關于《機器人工程技術人員國家職業標準（征求意見稿）》等4個職業標準公開征求意見的通知
為適應數字經濟發展需要，加強數字技術人才培養，促進數字經濟和實體經濟深度融合，根據《勞動法》《職業教育法》有關規定，我部組織開發了“機器人工程技術人員”“增材制造工程技術人員”“數據安全工程技術人員”“密碼工程技術人員”等4個職業標準的征求意見稿。
人力資源社會保障部辦公廳
2023-01-20
化學學院劉志偉課題組報道d-f躍遷稀土發光配合物在單發光層白光有機發光二極管中的應用
近日，劉志偉在Light: Science & Applications雜志上發表了題為“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的論文，該工作合成了具有d-f躍遷發光性質的天藍光發射的鈰(III)配合物Ce-TBO2Et和橙紅光發射的銪(II)配合物Eu(Tp2Et)2，利用兩種發光材料構建的SEL-WOLEDs發光效率高且發光顏色穩定。研究表明，主體材料不參與傳能過程且低能量的橙紅光材料的質量摻雜濃度可高達5wt%，體現了d-f躍遷稀土發光配合物應用于SEL-WOLEDs時可簡化傳能過程和器件制備工藝的優勢。
北京大學
2023-08-22
云南大學化學科學與工程學院陳建華副研究員在Nature Materials發表有效免疫應力影響的可拉伸有機電化學晶體管文章
該項研究成果指出了一種能有效免疫復雜應力影響的可拉伸OECT及其傳感器的新方法，通過結合有序蜂窩狀半導體聚合物制備方法與雙向預拉伸技術，成功研制了最高可拉伸至140%的OECT，且其輸出特性在可拉伸范圍內保持了高度穩定。
云南大學
2022-06-09
《自然·通訊》報道西安電子科技大學郝躍院士團隊研制出國際最高功率優值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現空穴超注入效應
近期，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質結二極管。
西安電子科技大學
2022-08-30