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寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

大功率高壓調(diào)制電源能夠?qū)崿F(xiàn)300kW以上的功率輸出；用于為系統(tǒng)提供穩(wěn)定供電。項目采用全固態(tài)設(shè)計方式，安全有效快速反應(yīng)，供電波形規(guī)則，前后沿窄，采用整體油箱方式隔離高壓，安全性高。

針對現(xiàn)有無功功率可調(diào)補償裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、投資大，維護使用不方便等不足，本實用新型提供一種無功功率可調(diào)補償裝置，該種無功功率可調(diào)補償裝置，結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、投資低、使用壽命長、補償效果顯著。 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種無功功率可調(diào)補償裝置，由無功元件、晶闡管開關(guān)、用于降壓的變壓器等構(gòu)成，其結(jié)果特點是：用于降壓的變壓器為調(diào)壓變壓器，變壓器原邊繞組的始端接高壓母線、末端接地或者接另一相的高壓母線，次邊繞組始端附近的調(diào)節(jié)觸點經(jīng)分接開關(guān)接低壓母線，該低壓母線與次邊繞組的末端之間接有無功元件與晶闡管開關(guān)的串聯(lián)體。 本實用新型的無功元件為電容器組或電抗器或濾波器，使得本實用新型既可吸收電網(wǎng)中的感性無功功率，也能吸收容性無容功率，還可在提高電網(wǎng)的功率因數(shù)的同時，濾除諧波提高電網(wǎng)質(zhì)量。

LED具有長壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術(shù)，將加快實現(xiàn)LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。在國家863計劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發(fā)出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關(guān)技術(shù)指標處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。相關(guān)成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國際權(quán)威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授

太陽能功率優(yōu)化器直接與光伏組件相連，對各光伏組件實施最大功率跟蹤，保證其在任意光照條件下和組件特性下的最大功率輸出。由于組件只與功率優(yōu)化器相連，光伏組件之間不存在任何的相互連接，能夠從根本上消除不同光伏組件之間的影響，避免由于光照條件變化、組件局部遮陰、組件老化以及組件之間特性不一致造成的發(fā)電量損失，實現(xiàn)系統(tǒng)發(fā)電量的最大化。多個功率優(yōu)化器形成的組串之間并聯(lián)連接，對每組串內(nèi)部所串聯(lián)的功率優(yōu)化器數(shù)量沒有嚴格限制，極大的增加了系統(tǒng)配置的靈活性。數(shù)據(jù)采集器在存儲光伏組件的發(fā)電數(shù)據(jù)和狀態(tài)信息的同時，還可實時對

本成果為大功率高性能智能化的直流電源，可廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)各個領(lǐng)域，主要用作通信、電站的直流充電電源，也可用于電解、化成、電鍍、焊接、電加熱、電火花加工電源。采用高頻開關(guān)技術(shù)，具有體積小，重量輕的優(yōu)點；采用電流模型PWM控制，精度高、動態(tài)性能好；采用單片機為核心的智能控制電路，操作簡單方便；具有通信接口，可以遙控遙測。最大功率10KW，輸出電壓系列40～32

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業(yè)認證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實訓(xùn)，且能進行項目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

本團隊基于電磁冶金領(lǐng)域二十余年的積累，掌握了銅合金領(lǐng)域最具挑戰(zhàn)性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術(shù)，開發(fā)出易偏析銅合金合金超細化與均質(zhì)化連鑄技術(shù)、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術(shù)等一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破、顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡介 本團隊基于電磁冶金領(lǐng)域二十余年的積累，掌握了銅合金領(lǐng)域最具挑戰(zhàn)性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術(shù)，開發(fā)出易偏析銅合金合金超細化與均質(zhì)化連鑄技術(shù)、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術(shù)等一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。相關(guān)技術(shù)應(yīng)用于高強高導(dǎo)高彈銅合金領(lǐng)域如銅鉻鋯合金、銅鎳錫合金、銅鈦合金、銅碲合金及超高純無氧銅的規(guī)模化制備等都取得較好的效果。 1）銅鉻鋯非真空熔煉-電磁連鑄技術(shù) 由于鉻、鋯元素和氧的親和力較大，所以合金元素的燒損是銅鉻鋯合金的熔煉必須解決的問題。本項目團隊在銅合金熔煉，特別是銅鉻鋯合金的非真空熔煉方面，開展了近20年的研究，開發(fā)了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的非真空熔煉連鑄技術(shù)、成分穩(wěn)定控制技術(shù)、合金熔體潔凈化技術(shù)等，獲授權(quán)發(fā)明專利和實用新型專利近20項。本團隊已在完成中試級表面光滑、內(nèi)部致密無裂紋、成分均勻的全等軸晶銅鉻鋯棒線材，鑄態(tài)宏觀晶粒度經(jīng)上海材料研究所測定為M-9.0級。此外，本團隊從前期研究中，從塑形變形工藝和熱處理工藝角度，提出采用多道次連續(xù)擠壓及熱處理工藝優(yōu)化銅鉻鋯合金想性能的方法，并成功將銅鉻鋯棒材性能的抗拉強度提高到654MPa，斷后延伸率為13.5%，且電導(dǎo)率還能保持在79.3%IACS；這遠遠高于2017年電車線用銅鉻鋯合金線材國家標準的性能要求：抗拉強度＞570MPa，塑性＞3%，電導(dǎo)率＞75%IACS。相關(guān)技術(shù)已與世界五百強新興際華集團下屬新興發(fā)展集團有限公司達成1800萬元專利轉(zhuǎn)讓。 2）高均質(zhì)超細晶電磁連鑄技術(shù) 傳統(tǒng)連鑄制備過程中多元銅合金如銅鉻鋯合金等常存在組織粗大、成分偏析等問題，這將會嚴重影響后續(xù)的材料加工過程，導(dǎo)致在后續(xù)的軋制，擠壓等工藝過程中很容易產(chǎn)生軋制裂紋等缺陷。本團隊開發(fā)的電磁場連鑄過程易偏析合金超細化與均質(zhì)化調(diào)控技術(shù)，能在連鑄過程中，充分攪拌熔體，均勻化凝固前沿溫度，實現(xiàn)易偏析合金的超細化與均質(zhì)化。該技術(shù)已被應(yīng)用于銅鎳錫合金的連鑄中，實現(xiàn)了該合金連鑄制備的超細化和均質(zhì)化，所制備全等軸晶銅鎳錫合金鑄態(tài)組織宏觀晶粒度達到M-10.0級。目前該技術(shù)已實現(xiàn)中試級百米長度的連續(xù)電磁鑄造，且已與寧波博威、上海中船重工711研究所、銅陵金威、溫州元鼎等開展合作。進一步將該技術(shù)推廣于銅碲、銅鐵、銅鈦的連鑄，均取得了極為優(yōu)異的細晶、表面光潔、成分均勻的連鑄效果。 3）超高純無氧銅電磁連鑄技術(shù) 金屬材料純凈度是提高其力學(xué)和電學(xué)等綜合性能的關(guān)鍵因素，是制備高品質(zhì)金屬材料的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。高端金屬材料中夾雜物和氣泡對材料性能影響巨大，許多高端金屬材料的開發(fā)都取決于這類缺陷的控制水平。本團隊參與開發(fā)的金屬連鑄多模式定制磁場凈化技術(shù)，已成功應(yīng)用于高純高導(dǎo)無氧銅材料的制備，可將銅中氧含量中降低3ppm以下，達到目前世界無氧銅的最高標準——美國ASTM≤3ppm。與此同時，該高純無氧銅的電導(dǎo)率高達100.1%IACS，目前已全面取代進口并用于我國蘭州重離子加速器、散裂中子源大科學(xué)裝置、美國Michigan大學(xué)FRIB裝置等重大科學(xué)裝置建設(shè)。該項技術(shù)已獲得2015年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎，2015年度教育部自然科學(xué)二等獎，2015年度教育部技術(shù)進步二等獎等獎項。目前該技術(shù)已與福建紫金銅業(yè)、上海上大眾鑫科技發(fā)展有限公司、寧波興業(yè)、寧波金田等開展深入合作。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。