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紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。先進(jìn)光譜儀器是集光、機(jī)、電和計(jì)算機(jī)于一體，技術(shù)密集的高科技產(chǎn)品。它是現(xiàn)代科技必不可少的精密檢測和分析手段，是現(xiàn)代天文學(xué)、航空航天、分子生物學(xué)、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)、環(huán)境和生態(tài)等新科技建立和發(fā)展的基礎(chǔ)。國家對(duì)發(fā)展先進(jìn)光譜儀器和研制光譜儀器用的探測器件非常重視，“十一五”國家科技支撐計(jì)劃專門設(shè)立了科學(xué)儀器設(shè)備研制與開發(fā)專項(xiàng)“先進(jìn)大型光譜儀器的關(guān)鍵部件——高分辨分光器件和探測器件的研制”，技術(shù)人有幸成為承擔(dān)該課題的主要研究人員，負(fù)責(zé)高分辨探測器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最廣泛應(yīng)用的光電探測器，而且先進(jìn)的光譜儀器都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因?yàn)镃CD和CMOS具有靈敏度高、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段響應(yīng)很弱，這種很弱的紫外響應(yīng)限制了硅基成像器件在先進(jìn)光譜儀器及其他紫外波段探測方面的使用。 因此，本技術(shù)的研究成果硅基成像器件的紫外響應(yīng)增強(qiáng)薄膜是經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會(huì)發(fā)展迫切需要。 增強(qiáng)硅基成像器件的紫外響應(yīng)，目前有兩種方法：一是改變硅基探測器的結(jié)構(gòu)，如背照式CCD；另外一種是在現(xiàn)有的成像器件光敏窗口加鍍一層下變頻膜，把紫外光先轉(zhuǎn)化為可見光，然后再接收。國外自1980年起就開始增強(qiáng)硅基探測器紫外響應(yīng)的下變頻薄膜研究，按使用材料的屬性，可以把變頻膜分為有機(jī)變頻膜和無機(jī)變頻膜兩種。有機(jī)變頻膜技術(shù)相對(duì)成熟，也有相關(guān)的專利出現(xiàn)。哈勃太空望遠(yuǎn)鏡CCD、星球相機(jī)（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的響應(yīng)波段延伸到紫外的CCD都是鍍的有機(jī)變頻膜。目前紫外增強(qiáng)有機(jī)變頻膜可使普通CCD的響應(yīng)波段延伸到200nm，Roper Scientific公司開發(fā)的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下變頻效果。有機(jī)變頻膜技術(shù)盡管成熟，但該類薄膜有著致命的缺點(diǎn)，那就是有機(jī)物分子在紫外輻射下降解速度很快。在照明度為1μW/cm2的光照下，有機(jī)分子以高達(dá)每小時(shí)3%的速率成指數(shù)降解。在這一方面，而無機(jī)變頻膜具有不可比擬的優(yōu)點(diǎn)。無機(jī)變頻膜材料可以在它使用期限的前2%時(shí)間里，減少90%的降解量，因此，無機(jī)變頻膜具有非常優(yōu)越的穩(wěn)定性。在無機(jī)變頻膜方面，國外研究也剛起步，最早的報(bào)道見于2003年[1]，目前尚無成熟的增強(qiáng)硅基成像器件的紫外無機(jī)變頻膜技術(shù)。國內(nèi)在有機(jī)和無機(jī)變頻膜方面，都沒有已見報(bào)道的研究工作。  為了提高探測器對(duì)紫外輻射的敏感性，我們采取了在硅基成像器件光敏窗口上鍍變頻膜的辦法，成功地使CCD及CMOS的響應(yīng)波段拓展到150nm。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用在光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)推動(dòng)國家的科研和產(chǎn)業(yè)在這些領(lǐng)域的發(fā)展有極大幫助。

現(xiàn)今，高響應(yīng)度光電倍增管(PMT)為最廣泛應(yīng)用于微弱紫外信號(hào)的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實(shí)現(xiàn)陣列探測和價(jià)格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經(jīng)成為近年來國際上光電探測領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結(jié)構(gòu)簡單、可在室溫下工作、成本低等優(yōu)點(diǎn)。隨著碳化硅材料和其器件制備技術(shù)的不斷發(fā)展，其紫外光電探測器性能指標(biāo)有望達(dá)到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢

用于模型和零件的快速制造。應(yīng)用領(lǐng)域：家用電器、汽車制造、航天航空、船舶、工業(yè)設(shè)計(jì)模具加工等。以低成本的紫外光燈為光源，以光固化的原理，通過疊層制造的方法快速制造零件，掃描速度：20～500mm/s。工作精度±0.2mm。該成型機(jī)是首創(chuàng)使用低成本紫外光源燈替代激光發(fā)生器，光源價(jià)格僅相當(dāng)于激光器的1/100，性能價(jià)格比高，是目前國內(nèi)外價(jià)格最低的快速成型機(jī)，具有

臭氧協(xié)同紫外（UV/O3）的高級(jí)氧化消解技術(shù)是一種高效的新型水處理工藝， 運(yùn)用光、電、水產(chǎn)生高活性的羥基自由基對(duì)水樣進(jìn)行氧化消解，使水樣中難以降 解的有機(jī)污染物中的大分子氧化成容易降解的低毒性或無毒性的小分子物質(zhì)。該 氧化消解技術(shù)需要的反應(yīng)條件十分溫和，而且氧化消解效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的重鉻酸 鉀氧化消解方法，反應(yīng)過程無二次污染產(chǎn)生，是一種極具發(fā)展?jié)摿透偁幜Φ木G 色氧化消解技術(shù)。 本裝置根據(jù) COD 是“以化學(xué)方法測量水樣中有機(jī)物被強(qiáng)氧化劑氧化時(shí)所消耗 之氧的相當(dāng)量”的定義，在 UV/O3進(jìn)行水樣消解的過程中，利用多傳感器檢測消 解過程的參數(shù)，建立還原物降解特征信息檢測模型，實(shí)現(xiàn) COD 的在線監(jiān)測。其主 要特點(diǎn)在于： （1）該裝置反應(yīng)條件溫和，在常溫常壓下操作，消解效率高于重鉻酸鉀法， 且綠色環(huán)保無污染。 （2）真正實(shí)現(xiàn) COD 的免化學(xué)試劑在線檢測，完全避免了毒性鉻鹽、汞鹽的 二次污染，克服了消耗銀鹽產(chǎn)生的高費(fèi)用等缺點(diǎn)。 （3）可以針對(duì)復(fù)雜水質(zhì)實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)檢測，包括地表水、工業(yè)污水或生活污 水等，無需更換氧化劑或調(diào)整任何裝置參數(shù)。檢測結(jié)果不受水樣的物化性質(zhì)影響。