一種錐形的非晶SiO2納米線及其制備方法

新材料及其應用

本發明屬于納米材料領域，特別涉及一種錐形的非晶的SiO2納米線及其制備方法。本發明提供的錐形SiO2納米線如圖1所示，形貌上納米線根部直徑300nm~600nm，高度2~4um，對于一根納米線，隨高度增加，直徑逐漸減小，成圓錐形，圓錐角4~15°且可以通過調控原料的量使得納米線直徑，高度以及錐角發生變化。成分上Si和O，不含催化劑。所述方法的工藝步驟為：（1）生長基底及載物盤的清洗；（2）半封閉勢井形氣流裝置的組合（3）錐形SiO2納米線的生長。在通流動載流氣體條件下將高溫區管式爐升溫至1250°，爐內壓強保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述溫度和壓強保溫2~5h，保溫時間屆滿后，所述生長基底上即生長出錐形SiO2納米線；所述載流氣體為H2和Ar組成的混合氣體，H2的體積百分數為3~7%，Ar的體積百分數為93~97%。

本發明屬于納米材料領域，特別涉及一種錐形的非晶的SiO2納米線及其制備方法。

市場有待開發。