多元化合物半導(dǎo)體單晶的制備方法與生長裝置

新材料及其應(yīng)用

一種多元化合物半導(dǎo)體單晶的制備方法,工藝步驟為:①清潔坩堝,②裝料并除氣封結(jié),③晶體生長,④退火與冷卻。與該方法配套的單晶生長裝置含有可移動下爐加熱器及含有中部輔助加熱器的單晶生長爐,它可以靈活根據(jù)多元化合物的結(jié)晶習(xí)性,實現(xiàn)對結(jié)晶溫度梯度區(qū)的溫場調(diào)節(jié),獲得化合物單晶生長所需的窄溫區(qū)、大溫梯的結(jié)晶溫場分布,維持固-液界面的穩(wěn)定,實現(xiàn)單晶體的平界面生長。使用該生長裝置,采用坩堝下降法可成功生長出外觀完整、結(jié)晶性能好的多種多元化合物半導(dǎo)體單晶體。

產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用