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超寬光譜微弱光探測及成像芯片研制
所屬領域:
項目成果/簡介:
受到技術出口限制等原因，目前，我國的紅外探測技術無論是在技術水平、產品性能、靈敏度、應用范圍等方面還具有很大的局限。本項目采用新穎量子點納米材料，制備新型結構高靈敏度光電探測器，以窄帶隙IV-VI族半導體納米材料為光敏感層，研發紅外上轉換光子探測器，實現對微弱入射光（特別是紅外光）進行探測及成像的芯片設計，并用于其他安監和夜視應用研究。實現從紫外到中波紅外（20µm）的一體化、超寬譜段的微弱光探測與成像。完成超寬光譜微弱光探測及成像芯片制備，實現紅外領域高精尖技術的自主可控及大面積的推廣應用，真正實現紅外“中國芯”，意義重大、市場廣泛。
應用范圍:
軍事、醫療、工業紅外探測
項目階段:
小試
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