智能開(kāi)關(guān)芯片

高端裝備制造

GaN系列材料具有低的熱產(chǎn)生率和高擊穿電場(chǎng)，是制作大功率電子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管擁有承受大電流、耐高壓、抗輻射，耐高溫而且開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，非常適用于高功率微波器件。隨著5G毫米波通信、工業(yè)4.0和新一代雷達(dá)的發(fā)展，這種功率微波器件將會(huì)得到更廣泛的應(yīng)用。但是，對(duì)于這種半導(dǎo)體器件的負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)提出了非常高的要求。要求負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)封裝尺寸小，便于大陣列集成。并且對(duì)可靠行的要求也極高。智能功率集成電路（Smart Power Inte

產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用