一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法

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本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制

備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電

極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構

成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本

發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電

極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應

的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離

試用