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針對下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動電路設(shè)計技術(shù)
2021-04-10 00:00:00
云上高博會
http://www.furenw.xyz
關(guān)鍵詞：
電路設(shè)計
所屬領(lǐng)域:
項(xiàng)目成果/簡介:
上限低，可反向?qū)ǎ琩v/dt擾動和di/dt擾動等。該項(xiàng)成果設(shè)計出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅(qū)動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅(qū)動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對上開關(guān)管的損壞。 半橋GaN柵驅(qū)動電路主要指標(biāo)為： ？ 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時間 (28ns typ) ？ 非常優(yōu)越的延時匹配（1.5ns typ）
項(xiàng)目階段:
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