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近閾值到寬電壓集成電路設計技術

2021-04-13 00:00:00
云上高博會 http://www.furenw.xyz
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所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:

1.本成果突破了1項關鍵技術(近閾值集成電路設計技術體系)、2項關鍵指標領先(工作電壓最低、處理能效最高)、實現了3類應用(近閾值單元庫、低功耗芯片、定制流程),解決了我國物聯網芯片,低功耗近閾值設計關鍵技術不再受制于人。 2.近閾值技術已經應用于國內多家集成電路企業,新增產值6.3億元,新增利潤1.7億元。標準單元庫電源電壓從1.1V降低到0.6V,讀寫能耗降低了80%。大幅度提成了國產工藝在物聯網芯片方面的競爭力。 3.該成果在保證良率的前提下,降低電源電壓至閾值電壓附近。在國內首次系統性研究低電壓(近閾值)集成電路設計方法,突破了低電壓片上靜態存儲器、同步電路的彈性設計方法、模擬/射頻低功耗主從結構等三項關鍵技術,研制的40nm 0.6V低電壓標準單元和存儲器獲得中芯國際的任何,研制的0.6V 6mW低電壓導航芯片獲得國內領先移動互聯芯片設計企業-珠海全志的認可。 4.本成果應用效果顯著:1)江蘇東大集成電路系統工程技術有限公司整體應用本項目技術,以低功耗核心技術提升物聯網終端產品競爭力,研制并規模量產65nm低功耗系統芯片,開發工業級物聯網終端產品競爭力,研制并且規模量產65nm低功耗系統芯片,開發工業級物聯網移動終端7系列共474580臺,近兩年新增銷售額45976萬元,新增利潤13793元,在國內物流快遞領域應用于順豐等行業領軍企業,取代國外競爭對手優勢地位。2)深圳市國微電子采用本項目技術,研發國內最大容量低功耗軍用存儲芯片,近兩年新增銷售額5000萬元。

項目階段:
未應用
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