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中國科學(xué)院大學(xué)
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磁隨機(jī)存儲器芯片（STT-MRAM）器件
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項目成果/簡介:
已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量
的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，
很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對我國100%的壟斷。微
電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的
聯(lián)合團(tuán)隊通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，
在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成
項目階段:
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