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阻變存儲器與鐵電FinFET
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現出高耐
久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的數據保持特性（104@85oC），與DRAM
的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當器件工作在
電籌翻轉模式下的時候，器件表現出非常好的數據保持特性（>10年）以及對讀取
信號串擾的免疫能力，使該器件同時具有優越的不揮發存儲特性。
項目階段:
小批量或小范圍應用
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