寬禁帶半導體?ZnO?和?AlN?單晶生長技術

先進制造與自動化

中試階段/n作為第三代半導體的核心基礎材料之一的 ZnO 晶體既是一種寬禁帶半導體，又 是一種具有優異光電性能和壓電性能的多功能晶體。中國科學院半導體研究所的科 研人員研究掌握了一種生長高質量、大尺寸 ZnO 單晶材料的新型技術方法-化學氣 相傳輸法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元組合化合物是制造波長為 190nm-350nm 的發光器件和新型大功率電子器件的基礎材料。AlN 具有高熱導率 （3.4W/cmK），與高 Al 組份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

小批量或小范圍應用