日前，2023年度第70屆IEEE國際固態電路會議 (International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)在美國舉行。東南大學電子科學與工程學院國家ASIC工程中心楊軍教授、司鑫副研究員和蔡浩副教授的三項存內計算研究成果在本屆會議上發表并作了大會報告。東南大學是本屆ISSCC在存儲器、存內計算領域報道最多的單位。

ISSCC是固態電路領域的頂級學術會議之一，于1954年創立，現已成為集成電路設計領域最重要的學術盛會，吸引了來自全球學術界和工業界的頂尖科學家和工程師參會。

東南大學科研團隊在本屆會議上發表的三項成果分別是：

“A 28nm 64-kb 31.6-TFLOPS/W Digital-Domain Floating-Point-Computing-Unit and Double-Bit 6T-SRAM Computing-in-Memory Macro for Floating-Point CNNs”，報道了一款面向浮點卷積神經網絡的存內計算芯片，采用了雙6T存儲單元和高位全精度低位近似計算單元結構，是領域內首個發表的浮點存內計算方案。東南大學博士生郭安為論文第一作者。

“A 28nm Horizontal-Weight-Shift and Vertical-Feature-Shift-Based Separate-WL 6T-SRAM Computation-in-Memory Unit-Macro for Edge Depthwise Neural-Networks”，針對現如今CIM架構無法高效支持Depth-wise卷積計算的問題，提出了一種可同時支持存內計算和存內移位的SRAM-CIM芯片，是第一個高效支持MobileNet存內計算的方案。東南大學博士生王博為論文第一作者。

“A 28nm 2Mb STT-MRAM Computing-in-Memory Macro with a Refined Bit-Cell and 22.4 – 41.5TOPS/W for AI Inference”，提出了一種基于新型非易失性存儲器MRAM的存內計算芯片，克服了MRAM由于器件自身缺陷不適用于存內計算的難題，是中國大陸首篇在ISSCC上發表的MRAM存儲與存算工作論文。東南大學蔡浩副教授為論文第一作者。

東南大學高能效計算團隊后續將在此研究基礎上，繼續在高能效大算力的AI計算芯片等領域開展深入研究。